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著名半导体器件及微电子学专家陈星弼院士逝世

 发布时间:2020-06-06

据中国科学院官方微博12月4日消息,陈星弼院士逝世。

2019年12月4日17时10分,半导体器件及微电子学专家、“中国功率器件领路人”陈星弼在四川成都逝世,享年89岁。陈星弼,1931年1月出生于上海,1952年毕业于国立同济大学电机系,先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作,1956年开始在电子科技大学任教,1999年当选中国科学院院士。他是国际半导体界著名的超结结构(Super Junction)的发明人,该发明被称为“功率器件的新里程碑”。2018年,在功率半导体领域最顶级的学术年会上,陈星弼院士入选ISPSD首届名人堂,成为国内首位入选名人堂的华人科学家。

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